昭和電工 200mmSiCエピウェハー、サンプル出荷開始

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2022年9月9日

 昭和電工はこのほど、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーについて、国内メーカーとして初の200mm(8インチ)サイズのサンプル出荷を開始したと発表した。同製品には、同社製のSiCウェハーを用いている。

SiCエピタキシャルウェハー(左が150mm、右が200mm)

 SiCパワー半導体は、従来のシリコンに比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして、EVや再エネ向けに市場が急拡大している。性能に大きく関係するSiCエピウェハーには、

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昭和電工 パワー半導体向け6インチSiC単結晶基板を量産

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2022年3月30日

SICエピタキシャルウエハー

 昭和電工は28日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーの材料である、6インチ(150mm)のSiC単結晶基板(SiCウェハー)の量産を開始したと発表した。

 SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)製パワー半導体に比べて

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