支持基板の炭化ケイ素（SiC）

　東京工業大学はこのほど、自然科学研究機構分子科学研究所との研究グループが低次元超伝導体「グラフェン‐カルシウム（Ca）化合物」と支持基板の炭化ケイ素（SiC）との界面にカルシウム金属層が形成していることを発見し、界面構造の制御により転移温度を向上できることを証明したと発表した。

　量子コンピュータの研究開発が