昭和電工は28日、高効率SiCパワー半導体デバイス事業をグローバルに展開している東芝デバイス&ストレージ（東芝D&S）との間で、パワー半導体向けSiCエピタキシャルウェハー（SiCエピウェハー）に関する、今後2年半（延長オプション付き）にわたる長期供給契約を締結したと発表した。
東芝D&Sでは鉄道車両向けインバーターをはじめとする、多種にわたるSiCパワーデバイスを開発・事業化しており、同社のSiC SBD（ショットキーバリアダイオード）およびSiC MOSFET（モスフェット：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）に昭和電工製SiCエピウェハーが採用されてきた。
今回の長期供給契約の締結は、昭和電工製SiCエピウェハーの特性均一性、低欠陥密度などの優れた品質と、安定供給体制が評価されたもの。SiCエピウェハーの性能向上に向けた両社の技術的な協力関係を強化するものとなる。また、幅広いアプリケーション向けに先進的な開発を進める東芝D&Sの製品に搭載されることで昭和電工のSiCエピウェハー事業の一層の拡大が期待される。
昭和電工グループは、世界最大（同社推定）のSiCエピウェハー外販メーカーとして、〝ベスト・イン・クラス〟をモットーに、急拡大する市場に高性能で高い信頼性の製品を供給し、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーなSiCパワー半導体の普及に貢献していく。