ルネサス インド半導体産業の成長促進で印大学と合意 ルネサスエレクトロニクス , インド工科大学ハイデラバード校（IITH） , VLSI（超大規模集積回路） , 組込み半導体システム分野 , 産学連携に関する基本合意書 2024年6月12日 ルネサスエレクトロニクスはこのほど、インド工科大学ハイデラバード校（IITH）との間で、VLSI（超大規模集積回路）および組込み半導体システム分野での3年間の産学連携に関する基本合意書を締結した。 (左から)ルネサス Country Head of IndiaのMalini Narayanamoorthi氏とインド工科大学ハイデラバード校学長のB.S. Murty教授 ルネサスの コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について
