ルネサス インド半導体産業の成長促進で印大学と合意 ルネサスエレクトロニクス , インド工科大学ハイデラバード校(IITH) , VLSI(超大規模集積回路) , 組込み半導体システム分野 , 産学連携に関する基本合意書 2024年6月12日 ルネサスエレクトロニクスはこのほど、インド工科大学ハイデラバード校(IITH)との間で、VLSI(超大規模集積回路)および組込み半導体システム分野での3年間の産学連携に関する基本合意書を締結した。 (左から)ルネサス Country Head of IndiaのMalini Narayanamoorthi氏とインド工科大学ハイデラバード校学長のB.S. Murty教授 ルネサスの このコンテンツを閲覧するにはログインが必要です。お願い ログイン. あなたは会員ですか ? 会員について