昭和電工はこのほど、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーについて、国内メーカーとして初の200mm(8インチ)サイズのサンプル出荷を開始したと発表した。同製品には、同社製のSiCウェハーを用いている。
SiCパワー半導体は、従来のシリコンに比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして、EVや再エネ向けに市場が急拡大している。性能に大きく関係するSiCエピウェハーには、
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