東工大など グラフェン・SiC基板間金属層で超伝導化 低次元超伝導体「グラフェン‐カルシウム（Ca）化合物」 , 支持基板の炭化ケイ素（SiC） , 東京工業大学 , 研究グループ , 自然科学研究機構分子科学研究所 2024年6月26日 東京工業大学はこのほど、自然科学研究機構分子科学研究所との研究グループが低次元超伝導体「グラフェン‐カルシウム（Ca）化合物」と支持基板の炭化ケイ素（SiC）との界面にカルシウム金属層が形成していることを発見し、界面構造の制御により転移温度を向上できることを証明したと発表した。 グラフェン-Ca化合物の原子構造と転移温度の上昇 量子コンピュータの研究開発が コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について
