昭和電工 パワー半導体向け6インチSiC単結晶基板を量産 SiCエピタキシャルウェハー , SiC単結晶基板（SiCウェハー）の量産 , 昭和電工 , SiC（炭化ケイ素）パワー半導体 2022年3月30日 SICエピタキシャルウエハー 昭和電工は28日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーの材料である、6インチ（150mm）のSiC単結晶基板（SiCウェハー）の量産を開始したと発表した。 SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）製パワー半導体に比べて コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について
