昭和電工 200mmSiCエピウェハー、サンプル出荷開始 SiC(炭化ケイ素)パワー半導体 , SiCエピタキシャルウェハー , 200mm(8インチ) , サンプル出荷を開始 , 昭和電工 2022年9月9日 昭和電工はこのほど、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーについて、国内メーカーとして初の200mm(8インチ)サイズのサンプル出荷を開始したと発表した。同製品には、同社製のSiCウェハーを用いている。 SiCエピタキシャルウェハー(左が150mm、右が200mm) SiCパワー半導体は、従来のシリコンに比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして、EVや再エネ向けに市場が急拡大している。性能に大きく関係するSiCエピウェハーには、 コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について
昭和電工 パワー半導体向け6インチSiC単結晶基板を量産 昭和電工 , SiC(炭化ケイ素)パワー半導体 , SiCエピタキシャルウェハー , SiC単結晶基板(SiCウェハー)の量産 2022年3月30日 SICエピタキシャルウエハー 昭和電工は28日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーの材料である、6インチ(150mm)のSiC単結晶基板(SiCウェハー)の量産を開始したと発表した。 SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)製パワー半導体に比べて コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について