信越化学工業は22日、Qromis社（米カリフォルニア州）との間で、同社が保有するGaN（窒化ガリウム）基板関連技術についてライセンス契約を締結し、GaN基板と関連製品の開発を本格化すると発表した。
信越化学は、半導体シリコンウエハーを製造する子会社の信越半導体とともに、パワー半導体と高周波半導体向けに通常のシリコンウエハーに加え、Silicon on Insulator（SOI）ウエハーやGaN on Siliconウエハーなどの基板を開発し販売してきた。これらの製品群をさらに拡充するとともに、Qromis社の技術を用いてGaN基板と関連製品の品揃えを行い、複数の解を提供することで顧客の要望に応えていく。
GaNを用いた半導体は、電動自動車などのモビリティーの進化、5Gやデジタライゼーションなどで求められる高デバイス特性と省エネルギーという、相反する課題を解決できるデバイスとして、今後需要が大きく拡大することが期待されている。
信越化学グループは、大口径GaN関連製品を供給することで、時代の要請である、エネルギーを効率的に利用できる持続可能な社会の実現に貢献していく考えだ。