窒化アルミニウム（AlN）系材料

　旭化成と名古屋大学未来材料・システム研究所（須田淳教授、天野浩教授）の研究グループはこのほど、次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム（AlN）系材料において、理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功したと発表した。

　pn接合は