旭化成 AIN系UWBG、pn接合で理想的特性を実現

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2023年12月18日

 旭化成と名古屋大学未来材料・システム研究所(須田淳教授、天野浩教授)の研究グループはこのほど、次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料において、理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功したと発表した。

2インチ 窒化アルミ単結晶基板(AlNウェハー)

 pn接合は

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