東レ パワー半導体の高放熱接着材料、シンガで共同研究 東レ , シンガポール科学技術研究庁「A*STAR」 , IME , SiCパワー半導体向け高放熱接着材料 , 共同研究を開始 2022年9月26日 東レはこのほど、シンガポール科学技術研究庁「A*STAR」の先端的半導体研究機関であるIMEと、SiCパワー半導体向け高放熱接着材料の実用化に向けた共同研究を開始したと発表した。同社は6月に開所した研究センター「TSRC」から支援する。 新規冷却型SiC パワー半導体モジュール（左：上面、右：側面） SiCパワー半導体は、 コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について
