東レ 半導体ウェハの薄膜化に対応した新規仮貼り材料を開発 東レ , 新たに開発 , サンプルワークを開始 , 半導体後工程材料 2025年11月28日 東レは27日、AI半導体に用いられる次世代高帯域幅メモリ(HBM)、SSDなどに用いられるNAND型フラッシュメモリ、xEVや産業機器に用いられるパワー半導体など、 コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について 関連記事 東レ ナノアロイ技術の深化により超高制振ナイロン樹脂を創出 東レ ナイロン66ケミカルリサイクル新技術を創出 亜臨界水解重合技術によりプラスチックリサイクル率向上 東レ サウジアラビアのシュアイバ3海水淡水化プラントに逆浸透(RO)膜を供給 東レ バルーン拡張式弁形成術用カテーテル「大動脈弁用イノウエ・バルーン」 米国での販売を開始