東レ 半導体ウェハの薄膜化に対応した新規仮貼り材料を開発

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2025年11月28日

 東レは27日、AI半導体に用いられる次世代高帯域幅メモリ(HBM)、SSDなどに用いられるNAND型フラッシュメモリ、xEVや産業機器に用いられるパワー半導体など、

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