東レはこのほど、シンガポール科学技術研究庁「A*STAR」の先端的半導体研究機関であるIMEと、SiCパワー半導体向け高放熱接着材料の実用化に向けた共同研究を開始したと発表した。同社は6月に開所した研究センター「TSRC」から支援する。

SiCパワー半導体は、
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