旭化成 AIN系UWBG、pn接合で理想的特性を実現 名古屋大学未来材料・システム研究所(須田淳教授、天野博教授) , 窒化アルミニウム(AlN)系材料 , クリスタル・アイエス(CIS) , 旭化成 2023年12月18日 旭化成と名古屋大学未来材料・システム研究所(須田淳教授、天野浩教授)の研究グループはこのほど、次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料において、理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功したと発表した。 2インチ 窒化アルミ単結晶基板(AlNウェハー) pn接合は コンテンツの残りを閲覧するにはログインが必要です。 お願い Log In. あなたは会員ですか ? 会員について No related posts.