
昭和電工は28日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーの材料である、6インチ(150mm)のSiC単結晶基板(SiCウェハー)の量産を開始したと発表した。
SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)製パワー半導体に比べて
2022年3月30日
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2022年3月29日