旭化成 深紫外半導体LD、室温連続発振に世界初成功

2022年11月25日

 旭化成はこのほど、名古屋大学未来材料・システム研究所(天野浩教授)らの研究グループと共同で、世界で初めてUV‐C帯域274㎚の深紫外半導体レーザー(UV‐C LD)の室温連続発振に成功したと発表した。

深紫外半導体レーザーと研究のポイント

 結晶の乱れが全く発生しない

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SEMI 200mm半導体ファブ、2025年までに20%急増

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2022年11月11日

 SEMIは18日、最新の「200mm Fab Outlook to 2025」レポートにおいて、世界の200mm半導体ファブの生産能力が2022~2025年にかけて13ラインの新設により20%増加し、過去最高の月産700万枚になるとの予測を発表した。

 車載半導体などの旺盛な需要により、

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SEMI 300㎜半導体ファブ能力、25年に記録更新へ

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2022年10月25日

 SEMIはこのほど、最新のレポートにおいて、世界の300㎜半導体ファブの生産能力が2022年から2025年にかけて10%の年平均成長率(CAGR)で成長し、過去最高の月産920万枚になるとの予測を発表した。

 車載半導体の旺盛な需要と

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東レ パワー半導体の高放熱接着材料、シンガで共同研究

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2022年9月26日

 東レはこのほど、シンガポール科学技術研究庁「A*STAR」の先端的半導体研究機関であるIMEと、SiCパワー半導体向け高放熱接着材料の実用化に向けた共同研究を開始したと発表した。同社は6月に開所した研究センター「TSRC」から支援する。

新規冷却型SiC パワー半導体モジュール(左:上面、右:側面)

 SiCパワー半導体は、

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SEMI 世界半導体製造装置市場、2022年は過去最高に    

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2022年7月20日

 SEMIはこのほど、世界半導体製造装置(新品)の年央市場予測を発表した。2022年は、過去最高であった2021年の1025億ドルから14.7%増加の1175億ドルと新記録となり、2023年は1208億ドルとさらに更新する見込み。

 市場拡大には、

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ダイセル 銀膜を介した銅マイクロバンプ接合技術を実現

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2022年7月1日

 ダイセルはこのほど、大阪大学産業科学研究所フレキシブル3D実装協働研究所と、半導体の3次元実装に対応した新たな技術を開発した。

電子回路内における半導体3次元実装の断面(左)、マイクロバンプ接合部の断面(右)

 低温(180~250℃)・低加圧(0~0.4㎫)・短時間(10分)・直径20㎛・ピッチ150㎛の、

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SEMI ファブ装置投資額、2022年は過去最高更新

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2022年6月27日

 SEMIはこのほど、最新のワールド・ファブ・フォーキャスト・レポートに基づき、半導体前工程製造装置(ファブ装置)への投資額が、2022年に前年比20%増の過去最高となる1090億ドルへ達すると発表した。2021年の同42%増に引き続き3年連続で成長を遂げる見込みで、2023年も旺盛な投資が続くことが予測される。

ファブ投資額の推移

 SEMIのプレジデント兼CEOのアジット・マノチャ氏は

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SEMI 半導体模倣品への対策、BC構築に注力

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2022年6月15日

SCでの混入阻止、業界を超えた枠組みが不可欠

 SEMIジャパンはこのほど、「半導体模倣品の対策について」と題したオンライン会見を開催した。

 SEMIジャパン日本地区トレーサビリティ委員会の角淵弘一共同委員長は、

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SEMI 半導体製造装置販売額、1Qは前年比5%増

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2022年6月14日

 SEMIはこのほど、半導体製造装置(新品)の今年1Q(1-3月期)の世界総販売額が246.9億ドルとなったと発表した。これは前年同期比で5%増、前期(昨年4Q)比で10%減となる。

 SEMIプレジデント兼CEOのアジット マノチャ氏は

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昭和電工 半導体用8インチSiCウェハー開発、GI事業に

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2022年5月25日

 昭和電工はこのほど、新エネルギー・産業技術総合開発機能(NEDO)のグリーンイノベーション(GI)基金事業に、「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」が採択されたと発表した。

 GI基金事業は、

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